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CVD氣相沉積簡介

日期:2022-05-05 16:32
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摘要:
CVD氣相沉積簡介
  CVD(CVD氣相沉積)技術常常通過反應類型或者壓力來分類,包括低壓CVD(LPCVD),常壓CVD(APCVD),亞常壓CVD(SACVD),超高真空CVD(UHCVD),等離子體增強CVD(PECVD),高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱CVD(RTCVD)。然後,還有金屬有機物CVD(MOCVD),根據金屬源的自特性來保證它的分類,這些金屬的典型狀態是液態,在導入容器之前必須先將它氣化。不過,容易引起混淆的是,有些人會把MOCVD認為是有機金屬CVD(OMCVD)。
  過去,對LPCVD(CVD氣相沉積)和APCVD*常使用的反應室是一個簡單的管式爐結構,即使在今天,管式爐也還被廣泛地應用於沉積諸如Si3N4 和二氧化矽之類的基礎薄膜(氧氣中有矽元素存在將會*終形成為高質量的SiO2,但這會大量消耗矽元素;通過矽烷和氧氣反應也可能沉積出SiO2 -兩種方法均可以在管式爐中進行)。
  而且,*近,單片澱積工藝推動並導致產生了新的CVD反應室結構。這些新的結構中絕大多數都使用了等離子體,其中一部分是為了加快反應過程,也有一些係統外加一個按鈕,以控製澱積膜的質量。在PECVD和HDPCVD係統中有些方麵還特別令人感興趣是通過調節能量,偏壓以及其它參數,可以同時有沉積和蝕刻反應的功能。通過調整澱積:蝕刻比率,有可能得到一個很好的縫隙填充工藝。

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