

0371-55365392 0371-65321580 0371-65325580 0371-55365392
本設備為單靶磁控鍍膜儀,可用於金屬薄膜的製備,在電子領域、光學領域、特殊陶瓷製備等領域均有應用,也可實驗室SEM樣品製備。
本套配置采用高真空不鏽鋼腔體,腔體設置帶擋板的石英觀察窗,便於實驗的觀察記錄;腔體設計真空性能優良,造型小巧,十分適合實驗室使用。同時設備配有旋轉加熱樣品台,可以有效提高薄膜的均勻性和成膜的質量。整機采用模塊化設計,操作邏輯簡單,操作界麵直觀,利於上手。
單靶磁控鍍膜儀技術參數:
產品名稱
桌麵型不鏽鋼腔體單靶磁控濺射鍍膜儀
產品型號
CY-MSP190S-1T-A
安裝條件
1、使用環境溫度 25℃±15℃,濕度 55%Rh±10%Rh;
2、設備供電:AC220V,50Hz,必須有良好接地;
3、額定功率:1000w;
4、設備用氣:設備腔室內需充注氬氣清洗,需客戶自備氬氣,純度 ≥99.99%;
5、擺放工作台尺寸要求 600mm×600mm×700mm,承重 50kg 以上;
6、擺放位置要求通風散熱良好。
技術參數
1、 濺射電源:直流電源300W;*大輸出電壓600V,極限輸出電流500mA
2、 磁控靶:2英寸平衡靶,配磁耦合擋板;
3、 磁控靶適用靶材: φ50mm x 3mm厚
4、 腔體尺寸:外徑φ194mm ,內徑186mm x 高230mm;
5、 腔體材質: 304不鏽鋼
6、 旋轉加熱樣品台:轉速1~20rpm 連續可調;加熱溫度*高500℃,升溫速度推薦10℃/min,*高20℃/min。
7、 冷卻方式:磁控靶及分子泵需要循環水冷機;
8、 水冷機:水箱容積9L,流速10L/min
9、 供氣係統:質量流量計, 氣體類型Ar氣,流量1~30sccm(可定製);
10、 流量計精度:±1.5%量程
11、 真空腔體抽氣接口為 KF40;
12、 進氣接口為 1/4 英寸雙卡套接頭;
13、 顯示屏為7英寸彩色觸摸屏;
14、 可調節濺射電流,可設置濺射安全電流值、安全真空值;
15、 安全保護:過流、真空過低自動切斷濺射電流;
16、 極限真空:5E-4Pa(搭配分子泵);
17、 真空測量為電阻規真空計,其量程為:1~105Pa
注意事項
1、磁控濺射工作真空較高,一般在2Pa之內,需要配分子泵使用。
2、為了達到較高的無氧環境,至少要用高純惰性氣體對真空腔體清洗 3 次。
3、磁控濺射對進氣量比較敏感,需要使用質量流量計控製進氣量
可選配件
膜厚監測儀
1、膜厚分辨率:0.0136Å(鋁)
2、膜厚準確度:±0.5%,取決於過程條件,特別是傳感器的位置,
材料應力,溫度和密度
3、測量速度:100ms-1s/次,可設置測量範圍:500000Å(鋁)
4、標準傳感器晶體:6MHz
5、適用晶片頻率:6MHz 適用晶片尺寸:Φ14mm 安裝法蘭:CF35
其他配件
1、CY-CZK103係列高性能分子泵組(含複合真空計,測量範圍10-5Pa~105Pa);
CY-GZK60係列小型分子泵組(含複合真空計,測量範圍10-5Pa~102Pa)
VRD-4雙極旋片真空泵;
2、KF40真空波紋管;長度可選0.5m、1m、1.5m;KF40卡箍支架
3、膜厚儀晶振片;